NAND Flash產值 年增27%
2013/05/30 13:29 中央社
（中央社記者許湘欣台北2013年5月30日電）研調機構集邦指出，標準型記憶體今年首先出現價格反轉契機，產值年成長可望大幅成長30%。NAND Flash也年增27.2%達257億美元，需求位元成長率可達48.8%。
集邦指出，2013年的DRAM產業正進行大幅度的結構性調整，供需以及銷售價格改善牽動產值緩慢復甦。除了企業之間進行整併與重整外，因應雲端以及行動手持產品領域需求快速成長，DRAM供應商經營模式轉向其他更高毛利的產品別，企業獲利能力也因產品多角化（diversification）的程度而出現更大的差異。
展望2014年，由於廠商製程轉進已經瀕臨物理極限，預計2014年2X奈米將成為主流製程，後續獲利能力將取決於高附加價值的產品，以及下一個世代的堆疊技術（3D-IC, TSV），單純供給位元成長已退居為次要的獲利指標。
由於製程持續微縮的難度大幅增高，在EUV（Extreme ultraviolet lithography）機台尚未齊備的前提下，DRAM產業未來數年的展望將可望延續2013年度緩慢復甦的態勢，過往價格端大起大落的巨幅波動將成為歷史。
NAND Flash方面，智慧型手機、平板電腦與Ultrabook銷售佳績帶動NAND Flash內嵌式應用eMMC與SSD出貨動能，加上NAND Flash供應商今年多數暫緩產能擴充以及節制產出，大幅改善產業的供給與需求狀況，NAND Flash價格走勢也穩定許多。
因此，2013年NAND Flash整體產值將在需求持續成長以及ASP跌幅收斂的利多下，較2012年大幅成長27.2%來到257億美元，需求位元成長率可達到48.8%。
從需求面來看，集邦預估，2013年整體智慧型手機規模將上看9億3500萬隻，較2012年年增38%，平板電腦市場也在各家業者持續推出多元化的產品與白牌平板的興起，2013年出貨量將達到 2億台，將超越筆記型電腦的市場規模。
此外，隨著智慧型手機功能與硬體規格逐步提升，加上消費者對於產品效能與多媒體影音要求也日益增加，愈來愈多中低階手機也搭載eMMC有助於推升eMMC滲透率，eMMC的高速發展將持續扮演整體NAND Flash需求端的成長引擎。
從供給端來看，2013年NAND Flash供應商資本支出與產能擴張計劃顯得相對保守，絕大多數增加的產出來自於製程轉進，由於eMMC與SSD對於產品效能與可靠性的要求較高，預期今年20奈米產品比重將依舊維持70%以上，更為先進的製程技術應用預期發酵時間點將落在明年。因此今年產出有限情況下，整體產出位元年成長率將僅有41.5%。
集邦進一步表示，2014年三星半導體挾其高度垂直整合的企業結構囊括DRAM一半市占的態勢將維持不變，行動式記憶體事業將更受惠於其自有品牌的智慧型手機出貨而可望進一步提升營業利益。
美商美光半導體與日商爾必達正式合併以後，不論是產能或是產品組合都能夠與位居第二的韓系廠SKHynix一較高下，除了固有標準型記憶體以外，隨著隸屬行動式記憶體產品類別的eMCP日趨普及，快閃記憶體NAND FLASH技術將成為競爭勝出的關鍵。
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